Terminada la semana de las presentaciones del evento tecnológico CES 2015, nuevamente tenemos que volver a la senda de los rumores relacionados con la compañía estadounidense Apple. En esta ocasión, el protagonista es el iPhone 6S. Según señalan diferentes fuentes procedentes de Taiwán, el nuevo iPhone 6S podría incorporar una memoria RAM con 2 GigaBytes de capacidad. Además de ello, esta memoria vendría a ser de tipo LPDDR4, lo que se traduciría en una mayor velocidad de gestión de los datos manteniendo el mismo consumo de batería.
Las memorias RAM de tipo LPDDR4 precisamente son las mismas que las que algunas fuentes señalaban que incorporarían los nuevos iPhone 6. Finalmente, el hecho de que la producción de estas memorias costara un 35% más que el de las memorias LPDDR3 fue el principal responsable de que Apple no incorporara esta memoria en sus actuales teléfonos inteligentes.
Pero, según señalan desde el sitio web asiático Tech News Taiwan, estos problemas ya habrían sido solucionados de tal forma que el nuevo iPhone 6S podría incorporar una memoria RAM mejorada de tipo LPDDR4 con 2 GigaBytes de capacidad. En comparación a los procesadores que incorporan los actuales iPhone 6 de Apple, esta mejora del nuevo iPhone 6S se traduciría en una mayor velocidad de transferencia de datos (permitiendo aprovechar el doble del ancho de banda, hasta los 34 Gbps) con un consumo de batería reducido.
Hay que tener en cuenta que, a día de hoy, los iPhone 6 y iPhone 6 Plus incorporan una memoria RAM con una capacidad de 1 GigaByte y con la tecnología LPDDR3, por lo que de ser cierta esta información estaríamos hablando de un importante salto de rendimiento. Aunque, al mismo tiempo, habría que ver cómo aprovecharía Apple esta mejora de rendimiento teniendo en cuenta que, tal y como señalan desde ITProPortal, muchas de las aplicaciones del sistema operativo iOS solamente llegan a utilizar una tercera/cuarta parte de la memoria RAM de los actuales iPhone.
En lo que se refiere a la competencia de Apple, la gran mayoría de los buques insignia del mercado incorporan una memoria RAM de tipo LPDDR3. El Samsung Galaxy Note 4 con 3 GigaBytes de RAM o el Samsung Galaxy S5 con 2 GigaBytes de RAM incorporan la tecnología LPDDR3, mientras que otros móviles como el Sony Xperia Z3 (3 GigaBytes) o el Nokia Lumia 930 (2 GigaBytes) también incorporan memorias RAM de este mismo tipo.
Las demás especificaciones técnicas del iPhone 6S son un completo misterio en estos momentos. La presentación del nuevo iPhone 6S podría producirse mucho antes de lo esperado e, incluso, algunas fuentes se han atrevido a asegurar que Apple presentará su nuevo teléfono inteligente coincidiendo con el lanzamiento del reloj inteligente Apple Watch. De esta forma, la presentación del iPhone 6S podría producirse antes de la segunda mitad del año 2015.
